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Samsung por primera vez en el mundo se comienza la producción de chips de 3 nanometros

por Antonio Parejo

l líder mundial en tecnología de semiconductores Samsung, anunció hoy que ha comenzado la producción inicial de su nodo de proceso de 3 nanómetros (nm) aplicando la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA).

Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET  ), la tecnología GAA de Samsung implementada por primera vez, desafía las limitaciones de rendimiento de FinFET, mejorando la eficiencia energética al reducir el nivel de voltaje de suministro, al mismo tiempo que mejora el rendimiento al aumentar la capacidad de corriente de la unidad.

Samsung está iniciando la primera aplicación del transistor nanosheet con chips semiconductores para aplicaciones informáticas de bajo consumo y alto rendimiento, y planea expandirse a procesadores móviles.

“Samsung ha crecido rápidamente a medida que continuamos demostrando liderazgo en la aplicación de tecnologías de próxima generación a la fabricación, como la primera compuerta de metal High-K de la industria de fundición, FinFET, así como EUV. Buscamos continuar con este liderazgo con el primer proceso de 3 nm del mundo con MBCFET  ”, dijo el Dr. Siyoung Choi, presidente y director de negocios de fundición de Samsung Electronics. “Continuaremos con la innovación activa en el desarrollo de tecnología competitiva y crearemos procesos que ayuden a acelerar el logro de la madurez de la tecnología”.

(Desde la izquierda) Michael Jeong, vicepresidente corporativo; Ja-Hum Ku, vicepresidente ejecutivo corporativo; y Sang Bom Kang, vicepresidente corporativo de Samsung Foundry Business, sostienen obleas de 3 nm en la línea de producción del campus de Samsung Electronics Hwaseong.

Optimización de tecnología de diseño maximizado

La tecnología patentada de Samsung utiliza nanoláminas con canales más anchos, lo que permite un mayor rendimiento y una mayor eficiencia energética en comparación con las tecnologías GAA que utilizan nanocables con canales más estrechos. Al utilizar la tecnología GAA de 3nm, Samsung podrá ajustar el ancho del canal de la nanohoja para optimizar el uso de energía y el rendimiento para satisfacer las diversas necesidades de los clientes.

Además, la flexibilidad de diseño de GAA es muy ventajosa para la cooptimización de la tecnología de diseño (DTCO), que ayuda a aumentar los beneficios de potencia, rendimiento y área (PPA). En comparación con el proceso de 5 nanometros, el proceso de 3 nanometros de primera generación puede reducir el consumo de energía hasta en un 45 %, mejorar el rendimiento en un 23 % y reducir el área en un 16 % en comparación con 5 nanometros, mientras que el proceso de 3 nanometros de segunda generación reduce el consumo de energía hasta al 50%, mejorar el rendimiento en un 30% y reducir el área en un 35%.

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